agdrtv24 - twitteragdrtv24 - facebookagdrtv24 - linkedin
Samsung Electronics prezentuje czterogigabajtowe kości DDR3 w technologii 20 nanometrów

Samsung Electronics prezentuje czterogigabajtowe kości DDR3 w technologii 20 nanometrów

SPRZĘT KOMPUTEROWY / Podzespoły komputerowe / 2014-03-19 11:52:00

Samsung Electronics ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji najnowocześniejszej pamięci DDR3 wykonanej w procesie technologicznym 20 nanometrów. Nowa pamięć powstała z myślą o zastosowaniu w szerokim spectrum urządzeń elektronicznych.

Polecane sklepy

RTV Euro AGDMedia ExpertMedia MarktNEONET

Wprowadzając na rynek swoje nowe pamięci DRAM DDR3 o pojemności 4Gb, firma Samsung przekroczyła kolejną barierę w redukcji rozmiarów kości DRAM. Komórki pamięci produkowane są w technologii 20 nm przy wykorzystaniu powszechnie dostępnej litografii immersyjnej z użyciem laserów ArF.

Miniaturyzacja komórek pamięci DRAM jest trudniejsza niż w wypadku pamięci NAND Flash. Pierwsze z nich składają się z połączonych ze sobą kondensatora i tranzystora, natomiast w przypadku NAND Flash komórka zawiera jedynie tranzystor. Aby osiągnąć obecny poziom miniaturyzacji, firma Samsung dopracowała swoje technologie projektowania i wytwarzania, wprowadzając zmodyfikowane techniki podwójnego naświetlania i osadzania warstw atomowych.

Nowa technologia podwójnego naświetlania firmy Samsung to kolejny etap w rozwoju, który umożliwia produkcję kości DDR3 w procesie 20 nm z wykorzystaniem standardowego obecnie sprzętu do fotolitografii. Stanowi ona również kluczowy element zestawu technologii potrzebnych do produkcji przyszłej generacji pamięci DRAM w procesie klasy 10 nm. Sukcesem firmy Samsung jest także wyprodukowanie ultra cienkich warstw dielektrycznych jednorodnych komórek kondensatorowych, co zaowocowało zwiększeniem wydajności.

[[[zdjecie,14510,duze]]]

Dzięki wykorzystaniu nowych technologii do wytwarzania kości DDR3 w procesie 20 nm, układy te produkowane są o ponad trzydzieści procent szybciej w porównaniu z poprzednią pamięcią DDR3 wykonywaną w procesie 25 nm i ponad dwukrotnie szybciej w porównaniu ze starszymi modułami DDR3 wytwarzanymi w klasie 30 nm.

Co więcej, moduły pamięci oparte na nowych kościach 4Gb zużywają do dwudziestu pięciu procent mniej energii niż odpowiadające im objętością moduły oparte na starszej technologii 25 nm. W oparciu o to usprawnienie firma Samsung dostarcza międzynarodowym przedsiębiorstwom najnowocześniejsze, a przy tym także ekologiczne rozwiązania z dziedziny komputeryzacji.

Według danych zgromadzonych przez analityków rynku z firmy Gartner, wartość światowego rynku pamięci DRAM w 2013 roku wynosiła 35,6 miliardów USD i wzrośnie do 37,9 miliardów USD w roku 2014.

źródło: samsung/agdrtv24.pl

agdrtv24
NASZE SERWISY
  • agdrtv24
  • pięknydom24
  • informacje branżowe